清芯微储能取得具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构专利，提高该MOS器件的热稳定性
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2025-06-24 10:09:11
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司取得一项名为“一种具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构”的专利，授权公告号CN223024872U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有热稳定性的SiC VDMOSFET结构，包括由若干个VDMOS元胞组成的SiC VDMOSFET结构，所述VDMOS元胞包括漏极、金属源极、栅极以及半导体外延层；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，所述扩散层通过注入不同浓度磷元素杂质形成包括扩散层一、扩散层二以及扩散层三；所述N阱层包括轻掺杂N阱层一、轻掺杂N阱层二、轻掺杂N阱层三、重掺杂N阱层以及轻掺杂N阱层四。本实用新型通过使用更大体积的P、N阱层材料可以提高MOS器件导通电流的稳定性，并且将部分P、N层材料凸出并没过栅极的设计，即可以减少栅极电场对P、N层中电荷的干预，同时提高该MOS器件的热稳定性。
天眼查资料显示，北京清芯微储能科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京清芯微储能科技有限公司专利信息40条。
来源：金融界
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