长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，公开半导体结构及其制备方法
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2025-06-27 13:38:05
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120221393A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底；将基底置于垂直式炉管中，在垂直式炉管中进行以下步骤：执行第一沉积工艺，以在基底上沉积第一介质层，其中，在第一沉积工艺的过程中，垂直式炉管的中心区域的温度为第一温度；对形成有第一介质层的基底执行第一退火处理，其中，在第一退火处理的过程中，垂直式炉管的中心区域的温度为第二温度；执行第二沉积工艺，以在第一介质层上沉积第二介质层，其中，在第二沉积工艺的过程中，垂直式炉管的中心区域的温度为第三温度；其中，第二介质层的材料和第一介质层的材料相同，第二温度和第三温度均高于第一温度，第二温度不高于第三温度。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息430条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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