华润安盛申请半导体结构及其制备方法专利，有利于在保证半导体结构散热的同时简化工艺工艺_电池知识

华润安盛申请半导体结构及其制备方法专利，有利于在保证半导体结构散热的同时简化工艺工艺

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2025-06-30 11:38:18

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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润安盛科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120221420A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括提供引线框架，引线框架具有相互背离的第一表面和第二表面，引线框架包括基岛、间隔设于基岛至少一侧的第一引脚、间隔设于基岛至少一侧的键合部以及连接于键合部背离基一侧一侧的第二引脚；采用软焊料工艺在键合部的第一表面上至少设置第一芯片；其中，第一芯片具有相互背离的正面和背面，第一芯片的正面设有第一极和第二极，第一芯片的背面设有第三极，第一芯片的背面朝向键合部的第一表面，第三极与键合部电性连接；在键合部的第二表面设置DBC基板。上述半导体结构的制备方法，有利于在保证半导体结构散热的同时简化工艺工艺。

天眼查资料显示，无锡华润安盛科技有限公司，成立于2003年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本40000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润安盛科技有限公司参与招投标项目608次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可35个。

来源：金融界

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