德州仪器申请具有衬底接点的III-N半导体装置专利，涉及具有衬底接点的III-N半导体装置
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2025-07-01 15:26:39
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有衬底接点的III-N半导体装置”的专利，公开号CN120239296A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及具有衬底接点的III‑N半导体装置。半导体装置(100)包括：半导体衬底(102)；III‑N半导体层(106)，其位于所述半导体衬底上方；接触垫(114)，其位于所述III‑N半导体层上；第一介电层(202)，其位于所述III‑N半导体层上方；第一金属接点(502)，其穿过所述第一介电层且接触所述接触垫；及第二金属接点(402MSP)，其包含接触所述第一介电层的第一侧和接触第二介电层(506)的第二侧，且接触所述半导体衬底。

来源：金融界

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