晶合集成申请半导体结构制造方法专利，能提升制造良率_电池知识

晶合集成申请半导体结构制造方法专利，能提升制造良率

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2026-01-10 23:07:46

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN121310636A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括以下步骤：提供一衬底，将衬底划分为多个第一类分区和多个第二类分区，其中第一类分区用于形成第一类器件，第二类分区用于形成第二类器件；同步蚀刻第一类分区和第二类分区的部分衬底，形成初始沟槽于衬底中；形成覆盖第一类分区和第二类分区的保护层；去除第一类分区的保护层，露出第一类分区的初始沟槽；蚀刻初始沟槽，并调整初始沟槽的槽壁形貌，形成西格玛沟槽；形成第一外延结构于西格玛沟槽中；去除第二类分区上的保护层，并露出第二类分区的初始沟槽；以及形成第二外延结构于第二类分区的初始沟槽中。本发明能提升制造良率，且减少光罩的使用频率，降低制造成本。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1561条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造投资沟槽良率导体分区晶合结构专利初始半导体衬底

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