西安龙威半导体申请平面栅功率器件及其制备方法专利，能够提高半导体器件的性能
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2026-01-26 11:46:16
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国家知识产权局信息显示，西安龙威半导体有限公司申请一项名为“一种平面栅功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398074A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种平面栅功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：有源区和围绕所述有源区的边缘终端区；还包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面，外延层中设置有终端保护环，终端保护环位于边缘终端区，且环绕有源区；外延层中还设置有JFET注入区，JFET注入区位于所述有源区；场氧层，位于外延层的上表面，场氧层包括两部分，其中，位于边缘终端区的场氧层呈现整面结构，位于有源区的场氧层呈现间隔排布的多个条状结构，条状结构沿栅宽方向延伸。本发明能够提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，西安龙威半导体有限公司，成立于2018年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本66068.167985万人民币。通过天眼查大数据分析，西安龙威半导体有限公司参与招投标项目22次，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可24个。
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来源：市场资讯
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