北京集成电路装备创新中心申请电容刻蚀方法专利，提高对电容孔的刻蚀精度
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2026-01-26 14:39:14
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国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“电容刻蚀方法”的专利，公开号CN121398002A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种电容刻蚀方法，涉及半导体加工技术领域，以解决电容孔刻蚀精度不高的问题。电容刻蚀方法包括：硬掩模层沉积，在基底上沉积第一硬掩模层，第一硬掩模层为钨碳基硬掩模层；光刻图案化，在第一硬掩模层上形成预设图案；硬掩模层刻蚀，图案传递至第一硬掩模层；电容器刻蚀，刻蚀基底，以形成电容孔。其可以提高对电容孔的刻蚀精度。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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