浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，有利于提高半导体结构的可靠性
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2025-07-04 09:09:14
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120264764A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；栅极叠层，位于基底上，栅极叠层包括第一栅极层、以及位于第一栅极层上的第二栅极层；沟道叠层，贯穿栅极叠层位于基底上，沟道叠层包括第一沟道层、以及位于第一沟道层上的第二沟道层；功能叠层，覆盖沟道叠层侧壁，功能叠层包括位于第一沟道层与第一栅极层之间的第一功能层、以及位于第一功能层上且位于第二沟道层与第二栅极层之间的第二功能层，其中，第一功能层与第二功能层中的任一个为存储材料层、另一个为栅氧层。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息315条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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