硅存储技术取得基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器专利
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2025-07-04 20:09:33
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司取得一项名为“具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法”的专利，授权公告号CN113169174B，申请日期为2019年08月。

来源：金融界

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