荣芯半导体申请深沟槽隔离结构及其制作方法专利，降低漏电风险
创始人
2026-02-07 16:14:44
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“深沟槽隔离结构及其制作方法”的专利，公开号CN121487570A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底内形成有深沟槽；依次执行第一氧化工艺与第二氧化工艺，在深沟槽的侧壁及底部依次形成第一氧化层与第二氧化层，第一氧化工艺为在含氯气体的氛围中进行氧化，第二氧化工艺为湿法氧化；执行高密度等离子体化学气相沉积工艺，在深沟槽的侧壁及底部形成第三氧化层；在深沟槽内填充多晶硅。本申请通过两次氧化工艺与化学气相沉积工艺组合，在不改变传统氧化层膜厚度的情况下，能够消除深沟槽底部在传统工艺中生长完氧化层后容易出现的向外凹的尖角，从而在填充多晶硅时减少应力积累导致的填充材料裂缝，降低漏电风险，同时提高工艺兼容性，提升器件的性能和可靠性。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可40个。
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来源：市场资讯
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