爱思开海力士申请半导体装置及制造方法专利，具有大于沟道结构宽度的接触通孔
创始人
2026-03-04 17:44:48
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN121604502A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一栅极结构，其包括交替地层叠的第一导电层和第一绝缘层；位于第一栅极结构上的第二栅极结构，其包括交替地层叠的第二导电层和第二绝缘层；以及延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构且具有第一宽度的沟道结构。该半导体装置还包括延伸穿过第二栅极结构到第一栅极结构中的第一接触通孔，第一接触通孔分别与第一导电层连接，分别包括沿水平方向合并的第一子通孔，并且具有大于第一宽度的第二宽度。该半导体装置还包括延伸至第二栅极结构中的第二接触通孔，第二接触通孔分别与第二导电层连接，分别包括沿水平方向合并的第二子通孔，并且具有大于第一宽度的第三宽度。
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