苏州晶湛半导体申请一种半导体结构专利，可有效降低源漏区的欧姆接触电阻
创始人
2026-03-04 20:41:26
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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构”的专利，公开号CN121604478A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构，包括层叠设置的衬底、缓冲层和多沟道异质结层，多沟道异质结层远离衬底的方向上为第1，2，…，n层异质结层，n≥2，每层异质结层包括沟道层和势垒层；N型重掺杂层，位于多沟道异质结层的侧壁，N型重掺杂层为多层结构。本公开设置多层结构的N型重掺杂层，可有效降低源漏区的欧姆接触电阻。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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