北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，为异质集成电路的尺寸微缩提供技术解决方案
创始人
2026-03-07 14:20:46
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121620255A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆；第二晶圆，所述第二晶圆的尺寸小于所述第一晶圆的尺寸，所述第二晶圆键合于所述第一晶圆上；填充层，位于所述第一晶圆和第二晶圆上，所述填充层的顶面与所述第二晶圆的顶面平齐。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，能够实现异质衬底晶圆集成电路制造向现有主流的12寸平台的转移，为异质集成电路的尺寸微缩提供技术解决方案。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息554条，此外企业还拥有行政许可125个。
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来源：市场资讯
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