乾野微纳申请一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构专利，提升整体散热效率
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2026-03-10 11:54:03
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国家知识产权局信息显示，无锡市乾野微纳科技有限公司申请一项名为“一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构”的专利，公开号CN121646378A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体地说，涉及一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构。其包括封装件以及堆叠件。本发明中，当上塑封体与下塑封体通过卡扣配合形成完整盒体时，其内部侧轴同步挤压弧形边，驱动外套筒转动，使第二通口与第一通口对齐。促使传热棒将预置的导热硅脂通过贯通口压入并填充至金属导热结构、硅脂导热结构与压覆结构之间的界面空隙，在此封装体系中，热量可经由传热轴及传热棒高效传导，提升整体散热效率；采用聚偏氟乙烯为基体，复配六方氮化硼与球形氮化铝构建多维协同导热网络，结合上述主动注脂散热机制相配合，共同构成一套从芯片至散热终端的完整高效散热方案。
天眼查资料显示，无锡市乾野微纳科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市乾野微纳科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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