山东泰开申请高效散热母排系统低压开关柜专利,使低压开关柜温升性能高效提升
创始人
2026-03-10 22:03:53
0

国家知识产权局信息显示,山东泰开成套电器有限公司申请一项名为“一种具备高效散热母排系统的低压开关柜”的专利,公开号CN121642775A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,本发明属于配电装置技术领域,具体涉及一种具备高效散热母排系统的低压开关柜,通过开关柜内设置开口母排,开口母排在并柜连接处使用弹簧机构压紧连接器,开口母排在柜内连接分支母排时使用滑块连接器,柜内铜排局部温度过高时使用开口母排局部散热器进行辅助散热,通过柜体风道散热结构从柜顶部带走热量;开口母排的一侧设有开口,开口母排的其他各处表面为通长散热槽的开槽结构。使具备散热槽的开口母排使载流量得到提升,开口形状的截面,使内部热量可以有效自然散发。母排除搭接面以外的内外表面均为通长散热槽的开槽结构,有效增大了表面积,铜排散热性能提升,从而提升载流量,使低压开关柜温升性能高效提升,有效提高了产品使用寿命。

天眼查资料显示,山东泰开成套电器有限公司,成立于2004年,位于泰安市,是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析,山东泰开成套电器有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目18920次,专利信息308条,此外企业还拥有行政许可35个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

相关内容

小米申请连接电路专利,减缓...
国家知识产权局信息显示,北京小米移动软件有限公司申请一项名为“连接...
2026-03-10 23:17:18
罗德施瓦兹申请用于确定单极...
国家知识产权局信息显示,罗德施瓦兹两合股份有限公司申请一项名为“用...
2026-03-10 23:17:10
华星光电取得显示面板测试方...
国家知识产权局信息显示,深圳市华星光电半导体显示技术有限公司取得一...
2026-03-10 23:17:05
陆博汽车电子申请集成降温功...
国家知识产权局信息显示,陆博汽车电子(曲阜)有限公司申请一项名为“...
2026-03-10 23:16:58
迅芯微电子取得同步数据采集...
国家知识产权局信息显示,迅芯微电子(苏州)股份有限公司取得一项名为...
2026-03-10 23:16:50
中电科航空电子取得相控阵天...
国家知识产权局信息显示,中电科航空电子有限公司取得一项名为“一种相...
2026-03-10 23:16:41
ERS电子取得校准结构、方...
国家知识产权局信息显示,ERS电子有限公司取得一项名为“校准结构、...
2026-03-10 23:16:32
山东国信取得多工况电阻式加...
国家知识产权局信息显示,山东国信工业科技股份有限公司取得一项名为“...
2026-03-10 23:16:24
大为股份最新公告:拟定增募...
大为股份(002213.SZ)公告称,拟定增募资不超过1.09亿元...
2026-03-10 23:16:16

热门资讯

中电科航空电子取得相控阵天线控... 国家知识产权局信息显示,中电科航空电子有限公司取得一项名为“一种相控阵天线的控制系统及方法”的专利,...
大为股份最新公告:拟定增募资不... 大为股份(002213.SZ)公告称,拟定增募资不超过1.09亿元,用于嵌入式存储器研发和产业化项目...
阳光电源取得切换开关装置的控制... 国家知识产权局信息显示,阳光电源(上海)有限公司取得一项名为“切换开关装置的控制方法、切换方法及储能...
北京集成电路装备创新中心取得双... 国家知识产权局信息显示,北京集成电路装备创新中心有限公司取得一项名为“双大马士革工艺方法”的专利,授...
如何在SEPIC转换器中构建耦... 来源:电子工程世界(EEWorld) 摘要 本文讨论如何在单端初级电感转换器(SEPIC)拓扑结构中...
东方电气申请适应配网运行的三电... 国家知识产权局信息显示,东方电气(成都)创新研究有限公司;东方电气集团科学技术研究院有限公司申请一项...
杰华特微电子申请电源适配器控制... 国家知识产权局信息显示,杰华特微电子股份有限公司申请一项名为“电源适配器的控制电路、控制方法及电源适...
阳光电源申请可控串并联切换装置... 国家知识产权局信息显示,阳光电源股份有限公司申请一项名为“控制装置、计算机可读存储介质、电源并网系统...
卓尔凡光伏新能源配套稳压器技术... 在全球“双碳”目标推进下,光伏发电作为清洁新能源的核心支柱,其规模化应用日益广泛,但光伏系统固有的电...
格恩半导体取得具有空穴烧孔抑制... 国家知识产权局信息显示,安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种具有空穴烧孔抑制层的氮化镓基半导体激...