南亚科技申请垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置专利，减少存储器单元中的浮体效应
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2026-03-17 16:42:04
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“垂直鳍式场效应晶体管和存储器装置”的专利，公开号CN121665553A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开的实施方式提供一种存储器装置和垂直鳍式场效应晶体管。存储器装置包括存储器单元，其中存储器单元包括位元线、位于位元线上方的字元线、位于位元线上且嵌入字元线中的多个半导体鳍片、物理性接触各个半导体鳍片的一个侧壁的主体线，以及包覆主体线的绝缘层。主体线接地以将累积电荷引导出半导体鳍片，从而减少存储器单元中的浮体效应。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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