新紫光半导体申请轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件专利，可缩短制造多个第一半导体元件的轻掺杂漏极区域所需的时长_电池知识

新紫光半导体申请轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件专利，可缩短制造多个第一半导体元件的轻掺杂漏极区域所需的时长

创始人

2026-03-18 04:07:23

0次

国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件”的专利，公开号CN121692760A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本公开涉及一种轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件，该方法包括：先确定衬底上多个第一导电类型的第一半导体元件各自的轻掺杂漏极区域的位置，作为目标注入位置；通过第一光罩的多个第一注入口同时向多个目标注入位置注入第一离子；通过第一光罩的多个第一注入口同时向多个目标注入位置注入与第一导电类型对应的第二离子；通过与第一半导体元件对应的第二光罩向第一半导体元件对应的目标注入位置注入与第一导电类型对应的第三离子。这样，多个第一半导体元件共享第一光罩，可缩短制造多个第一半导体元件的轻掺杂漏极区域所需的时长，通过第二光罩可控制第一半导体元件达到其所需的工作电压，完成不同第一半导体元件的轻掺杂漏极区域的制造。

天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息66条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法注入紫光向多投资半导体元件专利区域成都导电光罩

上一篇：国电南瑞取得可信安全芯片及数据处理系统专利

下一篇：苏州鑫达半导体取得半导体元件加速老化测试装置专利，能通过在箱体内抽拉取放的过程中完成对半导体的固定与拆卸

新紫光半导体申请轻掺杂漏极区域的制造方法与半导体元件专利，可缩短制造多个第一半导体元件的轻掺杂漏极区域所需的时长

相关内容

热门资讯