铠侠申请半导体存储装置专利，易于实现高集成化
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2026-03-24 02:08:00
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121712016A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，实施方式提供易于实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个导电层，在层叠方向上层叠；半导体柱，在层叠方向上延伸且与多个导电层对置；电荷积蓄膜，设置在导电层与半导体柱之间；位线，相对于导电层设置在层叠方向的一侧且与半导体柱连接；以及接触电极，在层叠方向上延伸且与一个导电层的靠位线侧的面连接，半导体柱包括在层叠方向上排列的多个第1部分，第1部分的层叠方向上的靠位线侧的端部的宽度比与位线相反侧的端部的宽度大，接触电极包括在层叠方向上排列的多个第2部分，多个第2部分的层叠方向上的靠位线侧的端部的宽度比与位线相反侧的端部的宽度大，多个第2部分的数量比多个第1部分的数量多。
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