晶合集成申请一种半导体结构的制备方法和半导体结构专利，提高半导体结构的良品率_电池知识

晶合集成申请一种半导体结构的制备方法和半导体结构专利，提高半导体结构的良品率

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2026-03-26 16:28:00

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”的专利，公开号CN121729066A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，垫氧化层形成于衬底的表面，垫氮化层形成于垫氧化层的表面，沟槽设置于衬底内，且上部贯穿垫氧化层、垫氮化层形成开口；于沟槽的底部形成压电材料层；于沟槽内填充隔离氧化物，直至隔离氧化物覆盖沟槽和垫氮化层；沿垂直朝向基底上表面的方向对基底施加电场，并在电场作用下对隔离氧化物进行平坦化处理，直至垫氮化层表面的隔离氧化物去除后撤消电场，制得浅沟槽隔离结构。本发明的半导体结构的制备方法可以改善浅沟槽隔离结构表面的碟形凹陷，提高半导体结构的良品率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目635次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1574条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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