荣芯半导体申请半导体结构处理方法专利，获得粗糙度均匀的目标氧化层_电池知识

荣芯半导体申请半导体结构处理方法专利，获得粗糙度均匀的目标氧化层

创始人

2026-03-26 16:28:03

0次

国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的处理方法”的专利，公开号CN121728989A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的处理方法，该处理方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底上的初始氧化层；将所述半导体结构置于处理腔室，在所述处理腔室中建立超临界环境，以在所述处理腔室内形成超临界二氧化碳流体；向所述处理腔室通入共溶剂和含氟反应前驱体以生成氢氟酸，所述超临界二氧化碳流体使得所述氢氟酸吸附于所述氧化层表面，以对所述初始氧化层进行刻蚀，形成表面粗糙的目标氧化层，其中，所述目标氧化层的粗糙度大于所述初始氧化层的粗糙度。本申请可以将目标氧化层的表面粗糙度控制在理想范围内并获得粗糙度均匀的目标氧化层。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可40个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法氧化投资目标处理导体荣芯结构专利腔室氧化层半导体粗糙度

上一篇：晶合集成申请一种半导体结构的制备方法和半导体结构专利，提高半导体结构的良品率

下一篇：630kva配电房专用稳压器生产厂家

荣芯半导体申请半导体结构处理方法专利，获得粗糙度均匀的目标氧化层

相关内容

热门资讯