功成半导体申请超结MOSFET器件及其制备方法专利，进一步降低了器件的导通电阻
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2026-04-07 23:37:24
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国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种超结MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121815709A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种超结MOSFET器件及其制备方法，超结MOSFET器件包括衬底层、第一外延层、多个第一P型柱、第二外延层、多个第二P型柱、沟槽栅、体区、源区、绝缘层、源极金属层和多个接触部，其中，第二外延层的掺杂浓度大于第一外延层的掺杂浓度；第二P型柱的掺杂浓度大于第一P型柱的掺杂浓度；沟槽栅位于相邻两个第二P型柱之间的第二外延层中；接触部从源极金属层延伸进第二P型柱中，至少一个接触部的侧面连接源区与体区。本发明的超结MOSFET器件通过设置更大掺杂浓度的第二外延层、更大掺杂浓度的第二P型柱和更多数量的接触部，在击穿电压不下降的情况下，进一步降低了器件的导通电阻，同时提升了器件的EAS能力。
天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可6个。
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