华虹半导体申请改善多晶硅残留缺陷方法专利，有效减少多晶硅残留缺陷
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2025-07-08 16:10:19
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善多晶硅残留缺陷的方法”的专利，公开号CN120250154A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善多晶硅残留缺陷的方法，提供化学气相沉积机台以及待淀积硬掩膜层的产品，产品上形成有多晶硅层；在等化学气相沉积机台的工艺腔内壁以及工艺腔中各部件的表面，控制淀积速率形成与待淀积硬掩膜层膜质接近的腔体预沉积层；将产品转移至化学气相沉积机台的工艺腔中，之后在其上的多晶硅层上沉积硬掩膜层。本发明采用低淀积速率的氧化层作为腔体预沉积层。可以有效减少多晶硅残留缺陷。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2924次，专利信息1680条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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