平创半导体申请功率模块及其制备方法专利，改善多芯片并联时的动态电流均衡性_电池知识

平创半导体申请功率模块及其制备方法专利，改善多芯片并联时的动态电流均衡性

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2026-09-05 14:21:19

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国家知识产权局信息显示，深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司申请一项名为“功率模块及其制备方法”的专利，公开号CN122699621A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体封装技术，提供一种功率模块及其制备方法。该模块包括绕中心轴线环形排列的多个子模块，各子模块具有内侧第一散热器、外侧第二散热器及位于两者之间的功率器件组。功率器件组包含多颗并联的功率芯片和导电结构，导电结构具有汇流部及从汇流部延伸出的多个导电支路，这些支路绕汇流部呈旋转对称布置并分别连接各功率芯片。所有子模块的第一散热器相互邻接，围合成内部带有冷却介质通道的中心散热结构，相邻子模块之间固定连接。本申请能够改善多芯片并联时的动态电流均衡性，提升散热效率与热均匀性，同时简化装配工艺并增强长期可靠性。

天眼查资料显示，深圳平创半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳平创半导体有限公司专利信息94条，此外企业还拥有行政许可4个。

重庆平创半导体研究院有限责任公司，成立于2019年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13321万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平创半导体研究院有限责任公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目60次，财产线索方面有商标信息159条，专利信息170条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业功率平创投资散热器并联芯片模块导体专利汇流部

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