华虹半导体申请半导体器件及其制备方法专利，实现客户省版的需求
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2025-07-12 20:38:08
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120299994A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，其中在制备方法中，在刻蚀阻挡层表面形成第一层间介质层、第二层间介质层和抗反射层作为新的钝化层，本申请以抗反射层作为顶层阻挡层进行接触孔的刻蚀，这样可以保证等离子体不会同时轰击顶层金属层和第二层间介质层，避免刻蚀接触孔的过程中形成干法刻蚀和湿法刻蚀/清洗都难以清除的螯合物的情况，也不会额外增加光罩，实现了客户省版的需求，同时也满足量产要求，提高了芯片封装可靠性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目373次，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可226个。
来源：金融界
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