国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN122458765A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一硅基片、第二硅基片和第三硅基片；对第一硅基片进行热氧化处理，形成第一绝缘氧化层以及第二绝缘氧化层；向第一硅基片内注入离子，形成第一顶层硅、第二顶层硅、以及位于第一顶层硅和第二顶层硅之间的牺牲层；采用键合工艺，将第一硅基片的第一表面分别与第二硅基片与第三硅基片进行键合；去除牺牲层至暴露出第一顶层硅表面和第二顶层硅表面，第一顶层硅、第一绝缘氧化层以及第二硅基片构成第一绝缘体上硅衬底，第二顶层硅、第二绝缘氧化层以及第三硅基片构成第二绝缘体上硅衬底。本发明实现了在一次热氧化处理、离子注入以及键合的过程后，形成两个绝缘体上硅衬底，提高了半导体制程的效率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息8208条，此外企业还拥有行政许可231个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息15065条，此外企业还拥有行政许可486个。

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