电池知识
深圳供电局取得电流信息模拟相关专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳供电局有限公司取得一项名为“电流信息模拟方法、装置、计算机设备及存储介质”的专利，授权公告号CN11...
西门子申请基于光学电流互感器确定电流的方法与装置专利，根据电流波形执行继电保护操作
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，西门子股份公司申请一项名为“基于光学电流互感器确定电流的方法与装置”的专利，公开号CN120352674...
地平线征程申请驾驶过程中估计场景深度相关专利，降低对图像传感器设置位置的要求
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，地平线征程（上海）科技有限公司申请一项名为“驾驶过程中估计场景深度的方法、模型的训练方法及装置”的专利，...
沈阳高精度稳压器工作原理大揭秘
高精度稳压器概述 高精度稳压器在现代工业、农业、通信等领域发挥着重要作用。它能为各类设备提供稳定的电压，保障设备正常运行。例如在工业生产中，电压的不稳定可能导...
ETF融资榜 | 半导体ETF(159813)融资净买入946.68万元，居可比基金前2-20250722
2025年7月22日，半导体ETF（159813.SZ）收涨0.38%，成交3.22亿元。获融资买入3008.54万元，融资偿还2061.86万元，融资净买入9...
北方华创申请半导体工艺设备专利，提高了对不同尺寸晶圆的兼容性
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“半导体工艺设备”的专利，公开号CN120356842A，申请...
韦尔半导体申请张弛振荡器专利，稳定地输出规定频率的信号
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“张弛振荡器”的专利，公开号CN120357869A，申请日期为2...
苏州晶湛半导体取得半导体发光器件及其制备方法专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司取得一项名为“半导体发光器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN116420236...
宁波京琼等公司申请超声电机直驱式高速开关阀专利，提高设备的实用性
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，宁波京琼机械制造有限公司、宁波京阪工业有限公司、京阪精密制造（宁波）有限公司、浙江京阪智能装备有限公司申...
无锡睿勤科技取得一种升压电路专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，无锡睿勤科技有限公司取得一项名为“一种升压电路”的专利，授权公告号CN114567169B，申请日期为2...
苏州易驱智能取得变频器低成本缺相检测电路专利 降低电路成本及硬件实现复杂度
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州易驱智能科技有限公司取得一项名为“一种变频器低成本实现缺相检测的电路”的专利，授权公告号CN2231...
京东方申请驱动电路、阵列基板专利，提高了驱动电路的输出稳定性
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“驱动电路、阵列基板”的专利，公开号CN120356436A，申请...
华星光电取得显示装置相关专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市华星光电半导体显示技术有限公司取得一项名为“显示装置”的专利，授权公告号CN115933216B，...
百利二通取得阀门电动驱动装置开关寿命试验装置专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，天津百利二通机械有限公司取得一项名为“一种阀门电动驱动装置开关寿命试验装置”的专利，授权公告号CN120...
京东方申请滤波器及其制造方法、电子设备专利，提供一种滤波器
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司、北京京东方传感技术有限公司、北京京东方技术开发有限公司申请一项名为“滤波器及...
江苏宝杰隆电磁线取得低电阻率梯度晶导线及其制备方法专利
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，南京理工大学;江苏宝杰隆电磁线有限公司取得一项名为“一种低电阻率梯度晶导线及其制备方法”的专利，授权公告...
泰睿思微电子申请高刚性与高应力支撑的光传感器封装结构专利，能够解决现有技术的光传感器封装结构存在的技术问题
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，宁波泰睿思微电子有限公司申请一项名为“高刚性与高应力支撑的光传感器封装结构”的专利，公开号CN12035...
FOSAN 富捷科技解析：合金电阻与普通电阻的特性对比及适用场景
在电子元件市场中，电阻因材质、工艺和性能的差异被划分为多个类型，其中合金电阻与普通电阻（如厚膜贴片电阻）在核心特性和应用场景上区别显著。前者凭借高精度、高功率、...
达尔科技申请具有栅极-源极ESD二极管结构的功率MOSFET专利，涉及一种具有栅极-源极ESD二极管结构的功率MOSFET
金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“具有栅极-源极ESD二极管结构的功率MOSFET”的专利，公开号CN1...