电池知识
上海启激科技取得光电编码器及电机专利，大大提升光电编码器的检测精度
国家知识产权局信息显示，上海启激科技有限公司取得一项名为“一种光电编码器及电机”的专利，授权公告号CN223870094U，申请日期为2025年3月。 专利摘要...
昆山汉品电子取得钙钛矿电池组件低电阻胶带专利，良好的低电阻性能够实现高效的导电
国家知识产权局信息显示，昆山汉品电子股份有限公司取得一项名为“一种钙钛矿电池组件的低电阻胶带”的专利，授权公告号CN223866559U，申请日期为2025年2...
半导体板块盘初走强，朗科科技、普冉股份双双涨超7%
每经AI快讯，2月3日，半导体板块盘初走强，朗科科技、普冉股份双双涨超7%，芯导科技、恒烁股份、强一股份、北京君正、长川科技等个股跟涨。 每日经济新闻
半导体板块加速回调，寒武纪下跌超13%
2月3日，半导体板块加速回调，截至发稿，寒武纪下跌13.28%，报1077.01元，换手率2.8%，成交额135.97亿元。 消息面上，寒武纪公告显示，预计20...
星思半导体取得随机接入方法专利
国家知识产权局信息显示，上海星思半导体股份有限公司取得一项名为“随机接入方法、装置及相关设备”的专利，授权公告号CN115942504B，申请日期为2022年5...
A股开盘｜三大股指集体高开 存储芯片板块走强
三大股指集体高开，沪指开盘报4043.91点，涨0.7%，深成指开盘报13986.89点，涨1.18%，创业板指开盘报3318.06点，涨1.65%。科创综指涨...
全景技术取得芯片自动剥离装置专利，提高设备的使用效率
国家知识产权局信息显示，全景技术（东莞）有限公司取得一项名为“芯片自动剥离装置”的专利，授权公告号CN223872705U，申请日期为2024年12月。 专利摘...
科创芯片设计ETF(588780)劲升涨超2%，存储芯片价格暴涨超300%，产业链景气度持续抬升
截至2026年2月3日 09:57，科创芯片设计ETF(588780)上涨2.04%，盘中换手3.64%，成交3269.48万元。成分股中微半导上涨10.15%...
中国联通申请开关电源输出过压抑制系统及方法专利，在开关电源启动或输出负载突然卸载时迅速的对输出过压进行抑制
国家知识产权局信息显示，中国联合网络通信集团有限公司申请一项名为“一种开关电源输出过压抑制系统及方法”的专利，公开号CN121441076A，申请日期为2025...
上海立新电器取得直流开关柜隔离开关电动小车专利，降低工作强度
国家知识产权局信息显示，上海立新电器控制设备有限公司取得一项名为“一种直流开关柜中装载隔离开关的电动小车”的专利，授权公告号CN223871923U，申请日期为...
长益光电取得小型化光学镜头对焦装置专利，使镜片对焦稳定
国家知识产权局信息显示，江西省长益光电有限公司取得一项名为“一种小型化光学镜头对焦装置”的专利，授权公告号CN223870882U，申请日期为2025年3月。 ...
安图实验仪器取得传感器自动测试装置专利，提高检测结果的可靠性和准确性
国家知识产权局信息显示，安图实验仪器（郑州）有限公司取得一项名为“传感器自动测试装置”的专利，授权公告号CN223870105U，申请日期为2025年3月。 专...
中煤科工重庆研究院取得抗多种气体干扰一氧化碳传感器专利
国家知识产权局信息显示，中煤科工集团重庆研究院有限公司取得一项名为“一种抗多种气体干扰的一氧化碳传感器及检测方法”的专利，授权公告号CN115308288B，申...
四川中星电子取得电容芯子尺寸筛选装置专利
国家知识产权局信息显示，四川中星电子有限责任公司取得一项名为“一种电容芯子尺寸筛选装置”的专利，授权公告号CN117983539B，申请日期为2023年12月。...
瞻芯电子取得碳化硅LDMOS结构形成方法专利
国家知识产权局信息显示，上海瞻芯电子科技股份有限公司取得一项名为“碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件”的专利，授权公告号...
贵州电网申请多工况模拟电容检测继电器寿命预测方法专利，提升继电器寿命预测的准确性、及时性与工程应用价值
国家知识产权局信息显示，贵州电网有限责任公司申请一项名为“多工况模拟电容检测继电器寿命预测方法、系统、设备及介质”的专利，公开号CN121432167A，申请日...
上海传芯半导体取得移相掩膜版及其制作方法专利
国家知识产权局信息显示，上海传芯半导体有限公司取得一项名为“移相掩膜版及其制作方法”的专利，授权公告号CN115343910B，申请日期为2021年5月。 天眼...
汉华工激光取得用于磁簧开关密封的激光加工方法专利
国家知识产权局信息显示，汉华工激光工程有限责任公司取得一项名为“一种用于磁簧开关密封的激光加工方法”的专利，授权公告号CN114974959B，申请日期为202...
华虹半导体取得背照式图像传感器及其形成方法专利
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“背照式图像传感器及其形成方法”的专利，授权公告号CN114141799B，申请日期为2021年1...
全球大公司要闻 | 甲骨文筹资500亿美元扩云，英伟达拟推AI芯片
// 热点头条// 1. 台积电：2nm产能已被全球科技巨头订单全部预订，AMD计划2026年生产2nm工艺CPU，谷歌和AWS分别于2027年Q3、Q4采用该...