中芯国际申请一种半导体结构的刻蚀方法、半导体结构及半导体器件专利，提高刻蚀精度
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2025-07-18 14:08:33
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的刻蚀方法、半导体结构及半导体器件”的专利，公开号CN120341113A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体结构的刻蚀方法、半导体结构及半导体器件。通过先提供一初始半导体结构；所述初始半导体结构包括层叠的衬底结构和图形化的硬掩膜；在所述图形化的硬掩膜的表面形成第一保护层，后续依次基于第一功率参数、第二功率参数和第三功率参数下的等离子体对所述初始半导体结构进行循环刻蚀，直至达到预设刻蚀深度，去除硬掩膜，得到半导体结构；所述第一功率参数、所述第二功率参数和所述第三功率参数中的射频功率依次减少，偏置功率依次增加；且所述等离子体能够在所述第一功率参数下与所述第一保护层的材料反应生成第二保护层。从而可以提高刻蚀精度，减少桥连缺陷。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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