应用材料公司申请低温混合接合金属化专利，制造含特定铜电镀层的半导体晶片
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2025-07-19 20:38:55
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“低温混合接合金属化”的专利，公开号CN120345067A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体晶片，包括基板、在基板中形成的至少一个通孔，以及在所述至少一个通孔内的铜电镀，其中所述铜电镀包括第一层纳米双晶铜和第二层块铜。此外，一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括提供基板；对所述基板进行蚀刻以形成至少一个通孔；以及在所述至少一个通孔内沉积铜电镀，其中所述铜电镀包括第一层纳米双晶铜和第二层块铜。

来源：金融界

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