友讯达申请一种批量烧录SOC芯片的装置及烧录方法专利，烧录装置能够很好的满足用户的使用需求
金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，深圳友讯达科技股份有限公司;武汉友讯达科技有限公司申请一项名为“一种批量烧录SOC芯片的装置及烧录方法”的专利，公开号CN120162058A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开一种批量烧录SOC芯片的装置及烧录方法，涉及电子产品技术领域。该装置包括主控芯片、通信接口、FLASH存储器、PSRAM存储器和多个烧录接口，通信接口、FLASH存储器、PSRAM存储器和多个烧录接口均与主控芯片电连接，主控芯片通过通信接口与上位机通信连接，主控芯片通过烧录接口与待烧录存储器件相连；主控芯片通过通信接口从上位机下载目标烧录文件，并将目标烧录文件发送给FLASH存储器进行存储；在烧录装置上电时，主控芯片将FLASH存储器中存储的目标烧录文件加载到PSRAM存储器中；主控芯片通过多个烧录接口将PSRAM存储器中的目标烧录文件烧录到每个烧录接口对应的待烧录存储器件上。
天眼查资料显示，深圳友讯达科技股份有限公司，成立于2002年，位于深圳市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳友讯达科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目650次，财产线索方面有商标信息37条，专利信息383条，此外企业还拥有行政许可182个。
武汉友讯达科技有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本17000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉友讯达科技有限公司参与招投标项目6次，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可13个。
来源：金融界
上一篇：华益精密取得压差开关阀专利，避免流体排出管内出现流体倒流污染阀装置所在的管路
下一篇：重庆万国半导体申请低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法专利，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能