重庆万国半导体申请低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法专利，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能
创始人
2025-06-18 13:09:18
0次
金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法”的专利，公开号CN120166726A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法，包括：在硅片上依次生长外延层和第一氧化层；在外延层上部进行体区注入和源区注入；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上生长栅极氧化层；在栅极沟槽中形成栅极多晶硅；完成后续制作工艺。本发明中，通过先进行体区注入和源区注入，再刻蚀形成栅极沟槽，可以避免由于栅极沟槽中多晶硅的过刻蚀形成凹陷区域后，源区注入时导致靠近栅极沟槽的位置源区注入过深，从而使导电沟道更短，带来沟道漏电的情况，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可19个。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
上海芯车汇科电子科技有限公司成...
天眼查App显示，近日，上海芯车汇科电子科技有限公司成立，法定代表人为曹阳，注册资本100万人民币，...
京东方Ａ获得发明专利授权：“印...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“印刷...
弘景光电获得发明专利授权：“一...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示弘景光电（301479）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种...
新联电子获得发明专利授权：“一...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新联电子（002546）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种...
达梦数据获得发明专利授权：“一...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示达梦数据（688692）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种...
海康威视获得发明专利授权：“一...
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示海康威视（002415）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种...
股票行情快报：聚飞光电（300...
证券之星消息，截至2025年10月10日收盘，聚飞光电(300303)报收于6.96元，下跌2.93...
股票行情快报：国力电子（688...
证券之星消息，截至2025年10月10日收盘，国力电子(688103)报收于74.05元，下跌2.7...
新亚电子拟与关联方等共投100...
雷达财经 文|杨洋 编|李亦辉 10月10日，新亚电子(605277)公告，公司拟与苏州科宝光电科技...
普京：俄罗斯已经掌握了一种新型...
据央视新闻消息，当地时间10月10日，俄罗斯总统普京召开新闻发布会，总结近日他对塔吉克斯坦的访问成果...