重庆万国半导体申请低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法专利，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能
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2025-06-18 13:09:18
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法”的专利，公开号CN120166726A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低开启电压的短沟道MOSFET器件及其制作方法，包括：在硅片上依次生长外延层和第一氧化层；在外延层上部进行体区注入和源区注入；刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽的槽壁上生长栅极氧化层；在栅极沟槽中形成栅极多晶硅；完成后续制作工艺。本发明中，通过先进行体区注入和源区注入，再刻蚀形成栅极沟槽，可以避免由于栅极沟槽中多晶硅的过刻蚀形成凹陷区域后，源区注入时导致靠近栅极沟槽的位置源区注入过深，从而使导电沟道更短，带来沟道漏电的情况，使低开启电压的短沟道MOSFET器件进行量产成为可能。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可19个。
来源：金融界
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