成都方舟微电子取得一种TBU电路专利，可灵活设计耐压值
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2025-07-24 17:40:14
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金融界2025年7月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都方舟微电子有限公司取得一项名为“一种TBU电路”的专利，授权公告号CN223141500U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极；N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极和源极之间并联第一稳压支路，P沟道耗尽型MOSFET的源极和栅极之间并联第二稳压支路。本实用新型可以调整N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET上的电压比例，可以比较灵活的设计N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET的耐压值。
天眼查资料显示，成都方舟微电子有限公司，成立于2008年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都方舟微电子有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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