英飞凌申请制造包括宽带隙半导体主体的半导体装置的方法专利，涉及制造包括宽带隙半导体主体的半导体装置的方法
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2025-07-25 20:40:37
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“制造包括宽带隙半导体主体的半导体装置的方法”的专利，公开号CN120379286A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开涉及制造包括宽带隙半导体主体的半导体装置的方法，其包括：在宽带隙半导体主体的第一表面之上形成第一掩模图案。方法还包括：形成沟槽，沟槽从第一掩模图案中的开口延伸到宽带隙半导体主体中，其中沟槽包括第一侧壁和相对的第二侧壁。方法还包括：形成第一分隔器掩模图案，第一分隔器掩模图案包括覆盖至少第一侧壁的第一分隔器部分和覆盖至少第二侧壁的第二分隔器部分。方法还包括：在沟槽中在第一分隔器掩模图案的第一分隔器部分和第一分隔器掩模图案的第二分隔器部分之间形成第二掩模图案。方法还包括：通过从沟槽去除第二分隔器部分的至少一部分，露出沟槽的沟槽部分；并且通过沟槽部分，将掺杂物引入到宽带隙半导体主体中。
来源：金融界
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