粤芯半导体申请半导体金属场板制造方法及半导体金属场板专利,提升场板电学性能
创始人
2025-07-25 20:40:38
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金融界2025年7月25日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体金属场板制造方法及半导体金属场板”的专利,公开号CN120379325A,申请日期为2025年06月。

专利摘要显示,本发明涉及半导体器件制造技术领域,特别是涉及一种半导体金属场板制造方法及半导体金属场板,该方法在所述衬底,所述栅极和所述金属硅化物阻挡层表面形成孔刻蚀保护层,在对所述层间介质层进行连接孔刻蚀时,只需要刻蚀至孔刻蚀保护层,不会破坏其余场板结构。同时,为了保证场板电学性能,本方法通过洗刷工艺彻底去除孔刻蚀保护层,一方面能够保证连接孔不会残留过厚的孔刻蚀保护层,影响场板电学性能,另一方面洗刷工艺不会损伤其余场板结构,充分保护半导体金属场板的结构完整性。此外,采用该工艺洗刷孔刻蚀保护层后,能够在连接孔底部留下充分空间,从而增加在所述连接孔中形成的金属粘合层与场板结构的接触面积,提升场板电学性能。

天眼查资料显示,粤芯半导体技术股份有限公司,成立于2017年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析,粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目115次,财产线索方面有商标信息46条,专利信息999条,此外企业还拥有行政许可129个。

来源:金融界

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