英特尔申请包含不同工艺区域存储器芯片封装架构专利，可实现微电子组件不同电路合理布局
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2025-07-25 21:16:08
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“包含具有不同工艺区域的存储器芯片的封装架构”的专利，公开号CN120380599A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，微电子组件的实施例包括：第一集成电路(IC)管芯，其具有第一存储器电路和第二存储器电路；第二IC管芯；第三IC管芯；以及封装衬底。第一IC管芯包括：第一部分，其包括第一有源区域和与第一有源区域接触的第一后端区域；以及第二部分，其包括第二有源区域和与第二有源区域接触的第二后端区域。在平面图中，第二部分被第一部分包围，第一存储器电路在第一部分中，第二存储器电路在第二部分中，第一有源区域包括晶体管，所述晶体管大于第二有源区域中的晶体管，并且第一后端区域包括导电迹线，所述导电迹线所具有的间距大于第二后端区域中的导电迹线的间距。
来源：金融界
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