上海集成电路研发中心申请半导体结构制备方法专利，降低金属互连层的寄生电容
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2025-06-21 19:37:23
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120184086A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，所述方法应用于半导体技术领域。具体的，其可先在金属互连层上形成至少包含第一绝缘介质层、牺牲介质层和第二绝缘介质层的待图形化膜层结构，然后在利用光刻、刻蚀、沉积等多步半导体制程工艺，在所述待图形化膜层结构内形成多个间隔排布的封闭式空气隙结构，之后还可进一步利用刻蚀、填充等工艺在位于所述多个封闭式空气隙结构的膜层结构中形成分别用于连接所述金属互连层中的一金属互连线的导电插塞，以实现降低绝缘介质的介电常数、降低金属互连层的寄生电容、RC延迟的目的。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2107条，此外企业还拥有行政许可87个。
来源：金融界
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