南亚科技申请半导体元件及其制造方法专利，提高了整个半导体元件的整体电性能
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2025-08-04 11:13:39
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120417371A，申请日期为2024年07月。

专利摘要显示，本揭露提供一种半导体元件。半导体元件包含导电层、着陆垫、电容器以及层间接触件。导电层具有沟槽。着陆垫填充于沟槽中。电容器设置于着陆垫上方。层间接触件连接于着陆垫与电容器之间。层间接触件的顶部的宽度大于电容器的宽度。

来源：金融界

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