中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，半导体结构的晶圆质量参数得到提高_厂商动态

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，半导体结构的晶圆质量参数得到提高

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2025-08-06 12:41:17

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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120425454A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供镀膜设备，所述镀膜设备包括：上腔体和下腔体，所述上腔体和下腔体构成反应腔室；设置于反应腔室内的晶圆基座，所述晶圆基座用于放置半导体结构；通过下腔体延伸至反应腔室内的下温度计；在所述反应腔室内壁表面形成覆盖层，形成所述覆盖层的工艺气体包括第一气体；在所述反应腔室内壁表面形成覆盖层之后，在所述晶圆基座放置半导体结构，所述半导体结构内具有对准标记；在所述半导体结构表面形成外延层，形成所述外延层的工艺气体包括第一气体和第二气体。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

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