合肥晶合集成申请半导体器件阈值电压调节和制作相关专利，实现调整不同MOS区域的阈值电压
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2025-08-06 20:11:47
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件”的专利，公开号CN120435051A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。所述半导体器件的阈值电压调节方法包括以下步骤：提供MOS衬底，MOS衬底包括第一MOS区域以及第二MOS区域；对第一MOS区域以及第二MOS区域进行口袋掺杂离子注入并分别形成口袋掺杂区；对MOS衬底进行热扩散，使第二MOS区域的口袋掺杂离子的扩散程度小于第一MOS区域的口袋掺杂离子的扩散程度，实现第二MOS区域的阈值电压高于第一MOS区域的阈值电压。本发明中的调节方法不需要通过同型掺杂与异型掺杂结合的方式改变阈值电压，就能够实现调整不同MOS区域的阈值电压。本发明中的制作方法能够减少光罩的使用数量。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1187条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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