应用材料申请通过钼与钛的集成降低触点电阻专利，降低触点电阻
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2025-08-16 14:43:47
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金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“通过钼与钛的集成的触点电阻降低”的专利，公开号CN120457792A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，描述了用于形成半导体结构的方法和半导体结构。该方法包括图案化基板以形成第一开口和第二开口，该基板包括n型晶体管和p型晶体管，该第一开口在n型晶体管上方，并且该第二开口在p型晶体管上方。预清洁该基板。在该p型晶体管和该n型晶体管中的一者或多者上沉积硅化钼(MoSi)层。在该n型晶体管和该p型晶体管上形成硅化钛(TiSi)层。可在该硅化钛(TiSi)层上形成封盖层。该方法可为在不破坏真空的情况下在处理腔室中执行的集成方法。
来源：金融界
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