中芯国际申请存储器及其形成方法专利，一种存储器及其形成方法
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2025-08-18 00:39:04
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金融界2025年8月7日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120434998A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种存储器及其形成方法，存储器包括基底；浮栅结构，位于基底上；选择栅极结构，间隔设置于浮栅结构侧部的基底上；第一重掺杂区，位于选择栅极结构两侧、以及位于浮栅结构背向选择栅极结构一侧的基底中，第一重掺杂区中具有第一型掺杂离子；第二重掺杂区，位于选择栅极结构的至少一侧的基底中，且在选择栅极结构的同一侧，第二重掺杂区位于第一重掺杂区靠近浮栅结构的一侧并与第一重掺杂区间隔设置，第二重掺杂区中具有第一型掺杂离子；基极掺杂区，位于第一重掺杂区与第二重掺杂区之间的基底中，且与相邻的第一重掺杂区和第二重掺杂区均相接触，基极掺杂区中具有第二型掺杂离子，第二型掺杂离子和第一型掺杂离子的导电类型不同。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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