SK keyfoundry推出多层厚金属间电介质电容工艺
创始人
2025-09-23 14:02:49
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（全球TMT2025年9月23日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。该工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中，总厚度最高可达到18微米。该工艺可提供高达19,000V的击穿电压特性及优异电容性能，预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。

采用此工艺制造的电容已成功通过主要客户的经时介电层击穿(TDDB)评估，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准。该工艺尤其可集成到0.13微米及0.18微米BCD工艺技术中，在汽车半导体领域具备极高的应用价值。此外，SK keyfoundry还提供PDK（工艺设计套件）、DRC（设计规则检查）、LPE（版图寄生参数提取）、LVS（版图与电路原理图一致性检查）及Pcell（参数化单元）等设计支持工具，助力客户加速产品开发进程。

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