据TrendForce集邦咨询最新数据显示，2025年第二季度，全球DRAM产品价格涨幅达21.3%，突破机构此前预测值，标志着市场正式进入上行周期。“存储超级周期”来临之际，一个趋势变得愈发清晰：DRAM，这个被称为“芯片皇冠上的明珠”，正成为国产芯片崛起的新引擎。那么，它究竟为何能获此殊荣?答案在于其登峰造极的技术复杂度、在AI浪潮中无可替代的核心地位以及高技术壁垒下的稀缺性。

技术深水区：DRAM构筑的工艺高墙

在计算机和智能设备中，存储芯片如同系统的“记忆中枢”，而DRAM(动态随机存取存储器)则扮演着“临时工作台”的角色：所有正在运行的程序和数据都会暂存于此，确保处理器能够快速调用，实现多任务流畅运转。与主要用于长期存储的U盘、固态硬盘(基于NAND闪存)不同，DRAM专为高速、频繁的数据读写而生，其性能直接决定了设备的响应速度和整体效率。

DRAM的技术核心在于其存储单元极致精密又相对简单的结构——每个存储单元仅由一个晶体管和一个电容组成，信息以电荷的形式存储在电容中，有电荷代表1，无电荷代表0。然而，正是这种简单结构带来了根本性挑战：电容会不可避免地漏电。为了防止数据因电荷流失而“蒸发”，DRAM需要像不断给一个有小洞的池塘注水一样，进行周期性的“动态刷新”。这种特性也导致了其在断电后数据会全部丢失(易失性存储器)。因此，制造DRAM堪称一场在纳米尺度上的极限挑战，需要在原子级别上精确控制电荷，并解决随之而来的漏电、刷新、高速互联等一系列难题，堪称在指甲盖上建造“带独立供电的精密单间”。

算力引擎：DRAM成为AI时代的核心基石

随着人工智能、大数据和5G技术的普及，全球对算力的需求呈现爆发式增长。AI数据中心需要实时处理海量数据，这对存储芯片的性能提出了极高要求——数据供给速度必须跟上处理器的运算节奏，否则便会形成“存储墙”，制约整体效率。

在这一背景下，HBM(高带宽存储器)应运而生，成为支撑大模型训练与推理的关键。而HBM本质上正是DRAM的高阶形态：它通过3D堆叠多个DRAM芯片，利用硅通孔技术实现高速互联，显著提升带宽、降低延迟。可以说，没有DRAM，就没有HBM的“存算一体”架构，AI算力也将失去重要依托。

产业破局：DRAM引领产业机遇重构

DRAM作为集成电路领域的战略制高点，其产业带动能力远超一般芯片。然而，由于DRAM产业的极高资源投入和技术壁垒，全球DRAM市场长期以来被三星、SK海力士和美光构成的“铁三角”垄断，技术壁垒与专利封锁构成难以逾越的鸿沟，国内能够在DRAM领域持续发展的玩家寥寥。尽管如此，中国在终端应用与AI驱动下的市场需求持续增长。据统计，中国DRAM市场规模已从2020年的1667亿元增长至2024年的2380亿元，年复合增长率达9.3%，2025年预计突破2500亿元。

在这一背景下，对于新入局者而言，面临的不仅是技术突破，更是需要跨越从设计、制造到良率控制、客户认证的完整产业鸿沟。而在本轮DRAM上行周期中，中国厂商已不再静默旁观，而是以长鑫存储为代表明确跻身量产玩家身份参与市场竞争。国内企业如长鑫存储等通过持续技术攻关，逐步构建起覆盖设备、材料、设计、制造、封装测试的完整产业链，成为全球DRAM市场中少数具备竞争力的参与者之一。长鑫的突破不仅填补了国内高端DRAM产品的空白，也为中国芯片供应链的自主可控提供了重要支点。