芯片是当前科技产业最绕不过的产品。

而芯片产业的整个环节中，设计、封测相对门槛低那么一点点，真正最难的是制造。特别是7nm以下的芯片制造技术。因为明面上来讲，目前掌握了7nm以下工艺的厂商，就只有三家，一家是台积电，一家是三星，还有一家是英特尔。

其它的企业，中芯国际应该搞定了等效7nm，至于其它的像格芯、联电等，均在10nm之上。

先进工艺对芯片产业而言非常重要，因为芯片越先进，性能越强，功耗越低的。

也正因为如此，所以美国为了维持自己的霸主地位，不允许美国、日本、荷兰等企业，将先进的芯片制造设备卖给中国，生怕中国自己制造出先进的芯片，那么美国的芯片霸主地位就不保了。

所以美国禁止ASML将EUV光刻机卖给我们，觉得只要没有EUV光刻机，那么我们就制造不了5nm及以下的芯片，因为目前所有5nm及以下的芯片，全部采用EUV光刻机制造的。

但是，大家不清楚的，虽然美国禁止了EUV，我们也没有EUV光刻机，但目前我们拥有的光刻机，是可以制造5nm芯片的，甚至理论上来讲，制造3nm也不是没可能。

这可不是我乱说的，是台积电前副总、浸润式光刻机之父林本坚博士说的。

林本坚是浸润式光刻机方案的提出者，也是他提出了这个方案，然后台积电与ASML一起研发出了浸润式光刻机，在这一领域，是真正的权威。

他说浸润式光刻机的极限，并不是7nm，在采用多重曝光之后，制造5nm没问题，甚至理论上制造3nm也是可以的。

只是多重曝光之后，芯片制造效率会降低，然后成本会增加，同时良率也会降低，毕竟浸润式光刻机的分辨率不够，一块芯片的电路，可能会拆成更多次数来光刻，会显著增加了光刻的次数。

但是，如果你没有EUV，又要制造5nm芯片，那就肯定不会去考虑良率、成本、效率的问题，先制造出来再说了。

而我们之前已经找ASML买了足够多的浸润式光刻机，所以理论上来讲，这些光刻机是可以支持到至少5nm，甚至3nm芯片的制造的。

大家想想，如果我们能够制造5nm芯片、3nm芯片了，那所谓的芯片禁令还有意义么？那肯定是打压无效的了。

只不过，有了浸润式光刻机，要制造5nm、3nm芯片也没有想象中的容易，也需要攻克一些技术难题，所以这些芯片推出没这么快，但其实已经意味着卡不住了，你觉得呢?