MMUN2133LT1G 是一款 PNP 型预偏置晶体管。该设计使得其在开关和放大电路中具有优良的控制特性，尤其适合应用于需要快速开关和高信号增益的场合。

基本特性：

1. 晶体管类型： MMUN2133LT1G 是一款 PNP 型预偏置晶体管。该设计使得其在开关和放大电路中具有优良的控制特性，尤其适合应用于需要快速开关和高信号增益的场合。
2. 电流与电压规格：

• 最大集电极电流（Ic）：100mA，适合处理中等负载的应用，能够稳定驱动各种负载。
• 最大集射极击穿电压（Vce）：50V，该特性保证了其在高电压环境下的安全性，适合多种电源电压的应用需求。

1. 电流增益（hFE）： 在5mA 的集电极电流和10V 的电压下，MMUN2133LT1G 的直流电流增益（hFE）最小值可达80。该特性使得晶体管有效增强输入信号的幅度，无论是在低功耗放大器还是在开关电路中，都能够提供良好的增益性能。
2. 饱和压降和截止电流： 晶体管在工作时，Vce 的饱和压降最大为250mV（在300µA的基极电流和10mA的集电极电流条件下）。此外，其集电极截止电流最大不超过500nA，显示出其良好的关断特性，确保无信号时的低功耗表现。
3. 功率处理能力： 该器件的最大功耗为246mW，充分满足了多样化的功率需求，适合于便携设备、消费电子及车载设备等应用。

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规格参数：

产品种类: 数字晶体管

RoHS:

配置: Single

晶体管极性: PNP

典型输入电阻器: 4.7 kOhms

典型电阻器比率: 0.1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 246 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMUN2133L

直流电流增益 hFE 最大值: 80

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: Digital Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

引脚图：