LG伊诺特申请电路板和包括该电路板的半导体封装基板专利，使第一贯通部上表面宽度与第二贯通部下表面宽度之差小于两者倾斜垂直长度之差
创始人
2025-11-29 18:35:37
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国家知识产权局信息显示，LG伊诺特有限公司申请一项名为“电路板和包括该电路板的半导体封装基板”的专利，公开号CN121039809A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，根据实施例的电路板包括：包括上表面和下表面的芯绝缘层；设置在芯绝缘层上的上绝缘层；设置在芯绝缘层下方的下绝缘层；以及贯穿芯绝缘层的上表面和下表面的贯通电极，其中贯通电极包括与芯绝缘层的上表面相邻设置并且具有第一倾斜的第一贯通部，所述第一倾斜的宽度朝向芯绝缘层的下表面逐渐减小，以及与芯绝缘层的下表面相邻设置并且具有第二倾斜的第二贯通部，所述第二倾斜的宽度朝向芯绝缘层的上表面逐渐减小，其中第一倾斜的垂直长度不同于第二倾斜的垂直长度，并且第一贯通部的上表面的宽度与第二贯通部的下表面的宽度之间的差小于第一倾斜的垂直长度与第二倾斜的垂直长度之间的差。
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来源：市场资讯
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