甬矽半导体取得沉积管路结构和沉积设备专利，保证沉积效果
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2025-12-09 14:08:10
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“沉积管路结构和沉积设备”的专利，授权公告号CN223633459U，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种沉积管路结构和沉积设备，涉及半导体设备技术领域，该沉积管路结构包括导通主体，导通主体用于设置在反应腔室的侧壁上，且导通主体内设置有相互隔离的第一管路和第二管路，第一管路和第二管路均贯通导通主体，并连通至反应腔室，第一管路的路径长度小于第二管路的路径长度，其中，第一管路用于输送第一反应气体，第二管路用于输送第二反应气体。相较于现有技术，本实用新型通过不同路径长度的第一管路和第二管路输送不同的反应气体，能够使得不同的反应气体输入反应腔室的时机不同，从而避免气体与腔内物质发生不必要的物理化学反应，保证了沉积效果。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息234条，此外企业还拥有行政许可19个。
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