芯业时代申请基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件专利，满足高功率密度应用需求_厂商动态

芯业时代申请基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件专利，满足高功率密度应用需求

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2025-12-26 20:09:26

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国家知识产权局信息显示，陕西电子芯业时代科技有限公司申请一项名为“一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法”的专利，公开号CN121218653A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法。一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件，包括：复合衬底层；所述外延层设置于所述复合衬底层的一侧，所述外延层的一侧设置有源极。本发明提供一种基于全碳化硅缓冲层的高效散热Trench MOS器件及其制造方法，通过在硅基层表面引入梯度碳化硅缓冲层和高掺杂碳化硅散热层，结合沟槽内的导热柱设计，构建高效的三维散热网络，解决传统硅基Trench MOS器件的散热难题，背面阵列式Cu微凸台增加了与散热片的接触面积，接触热阻降低，进一步提升了热量导出效率；在额定工作条件下，器件有源区热点温度较传统结构降低，满足高功率密度应用需求，工艺兼容性好，成本优势明显。

天眼查资料显示，陕西电子芯业时代科技有限公司，成立于2022年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西电子芯业时代科技有限公司参与招投标项目540次，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造缓冲 Trench 时代器件电子散热碳化硅专利应用有源区复合衬高功率

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