半导体元件工业申请管芯及其制造方法专利，实现电路元件在重叠区域的光刻沉积
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2025-12-29 19:09:02
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“管芯及其制造方法、一组掩模版”的专利，公开号CN121218711A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种例示性管芯及其制造方法、一组掩膜版，该例示性管芯可包括在重叠区域中重叠的第一区域和第二区域，以及以横跨该第一区域和该第二区域的网格布置的电路元件阵列。电路元件的重叠组可包括来自该阵列的设置在该重叠区域中的电路元件。当使用与该第一区域对准的第一掩模版将第一层沉积到该第一区域时，该重叠组的第一子组可接收该第一层的光刻沉积。当使用与该第二区域对准的第二掩模版将该第一层沉积到该第二区域时，该重叠组的第二子组可接收该第一层的该光刻沉积。也公开了对应方法、掩模版组和系统。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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