积塔半导体取得碳化硅沟槽刻蚀方法专利
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2025-12-30 21:09:00
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法”的专利，授权公告号CN114551227B，申请日期为2022年2月。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1928次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1317条，此外企业还拥有行政许可200个。
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来源：市场资讯
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